سامسونگ از تراشه حافظه جدید با «بالاترین ظرفیت» برای هوش مصنوعی رونمایی کرد

سامسونگ الکترونیکس روز سه شنبه اعلام کرد که یک تراشه حافظه با پهنای باند بالا توسعه داده است که “بزرگترین ظرفیت تا به امروز” را در صنعت دارد.

این غول تراشه کره جنوبی گفت که HBM3E 12H “هم عملکرد و هم ظرفیت را بیش از 50 درصد افزایش می دهد.”

Yongcheol Bae، معاون اجرایی برنامه ریزی محصول حافظه در Samsung Electronics گفت: «ارائه دهندگان خدمات هوش مصنوعی در صنعت به طور فزاینده ای به HBM هایی با ظرفیت بالاتر نیاز دارند و محصول جدید ما HBM3E 12H برای رفع این نیاز طراحی شده است.

Bae گفت: “این راه حل جدید حافظه بخشی از تلاش ما برای توسعه فناوری های اصلی برای HBM با پشته بالا و ارائه رهبری فناوری برای بازار HBM با ظرفیت بالا در عصر هوش مصنوعی است.”

Samsung Electronics بزرگترین تولید کننده تراشه های حافظه با دسترسی تصادفی پویا در جهان است که در دستگاه های مصرف کننده مانند تلفن های هوشمند و رایانه ها استفاده می شود.

مدل های مولد هوش مصنوعی مانند ChatGPT OpenAI به تعداد زیادی تراشه حافظه با کارایی بالا نیاز دارند. چنین تراشه هایی به مدل های هوش مصنوعی مولد اجازه می دهد تا جزئیات مکالمات گذشته و ترجیحات کاربر را برای ایجاد پاسخ های انسانی به خاطر بسپارند.

رونق هوش مصنوعی به تولیدکنندگان تراشه ها ادامه می دهد. طراح تراشه آمریکایی Nvidia جهش 265 درصدی درآمد در سه ماهه چهارم مالی خود را به لطف افزایش تقاضا برای پردازنده های گرافیکی، که هزاران مورد از آنها برای کار و آموزش ChatGPT استفاده می شود، گزارش کرد.

جنسن هوانگ، مدیرعامل انویدیا در تماسی با تحلیلگران گفت که این شرکت ممکن است نتواند آن سطح از رشد یا فروش را در طول سال حفظ کند.

با رشد تصاعدی برنامه‌های هوش مصنوعی، انتظار می‌رود HBM3E 12H یک راه‌حل بهینه برای سیستم‌های آینده باشد که به حافظه بیشتری نیاز دارند. Samsung Electronics گفت: عملکرد و ظرفیت بالاتر آن، مشتریان را قادر می‌سازد تا منابع خود را با انعطاف‌پذیری بیشتری مدیریت کنند و هزینه کل مالکیت مراکز داده را کاهش دهند.

سامسونگ اعلام کرد که آزمایشات این تراشه را برای مشتریان آغاز کرده است و تولید انبوه HBM3E 12H برای نیمه اول سال 2024 برنامه ریزی شده است.

SK Kim، مدیر اجرایی Daiwa Securities به CNBC گفت: “من فکر می کنم اخبار برای قیمت سهام سامسونگ مثبت باشد.”

سامسونگ سال گذشته پشت سر SK Hynix در HBM3 برای Nvidia بود. همچنین Micron دیروز از تولید انبوه 24 گیگابایتی 8L HBM3E خبر داد. من پیش‌بینی می‌کنم که این محصول در لایه بالاتر (12 لیتر) محصول HBM3E با تراکم بالاتر (36 گیگابایت) برای انویدیا رهبری کند.»

بر اساس گزارشی که توسط Korea Economic Daily که به نقل از منابع صنعتی ناشناس منتشر شده است، سامسونگ در ماه سپتامبر قراردادی برای تامین تراشه های حافظه با پهنای باند بالای Nvidia منعقد کرده است.

در این گزارش همچنین آمده است که SK Hynix، دومین سازنده بزرگ تراشه های حافظه کره جنوبی، در بازار تراشه های با کارایی بالا پیشتاز است. در این گزارش آمده است که SK Hynix قبلا به عنوان تنها تولید کننده انبوه تراشه های HBM3 که به انویدیا عرضه شده بود، شناخته می شد.

سامسونگ گفت که HBM3E 12H دارای یک پشته 12 لایه است، اما از یک فیلم فشرده سازی حرارتی غیر رسانا پیشرفته استفاده می کند که به محصولات 12 لایه اجازه می دهد تا مشخصات ارتفاعی مشابه 8 لایه داشته باشند تا نیازهای فعلی بسته HBM را برآورده کنند. نتیجه تراشه ای است که قدرت پردازش بیشتری را بدون افزایش ردپای فیزیکی خود دارد.

سامسونگ گفت: «سامسونگ به کاهش ضخامت مواد NCF خود ادامه داد و به کوچکترین شکاف تراشه هفت میکرومتری (μm) در صنعت دست یافت و در عین حال فضاهای خالی بین لایه‌ها را از بین برد. این تلاش‌ها منجر به بهبود چگالی عمودی بیش از 20 درصد در مقایسه با محصول HBM3 8H آن می‌شود.»