تراشه‌های 3 نانومتری TSMC در سال 2023 معرفی خواهند شد و تولید تراشه‌های 2 نانومتری در سال 2025 آغاز خواهد شد.
شرکت تولید نیمه هادی تایوان (TSMC) اعلام کرد که تراشه های ساخته شده بر روی فرآیند تولید 3 نانومتری در سال 2023 و تراشه های ساخته شده بر روی فرآیند 2 نانومتری در سال 2025 معرفی خواهند شد. در سمپوزیوم فناوری TSMC 2022، سازنده تراشه ها نیز فناوری جدیدی را اعلام کرد. ، FinFlex، که از آن برای ساخت چیپست های N3 و N3E استفاده می کند. گفته می‌شود که این فناوری انعطاف‌پذیری را برای تولیدکنندگان فراهم می‌کند تا عملکرد بالا، مصرف انرژی کمتر و حداکثر تراکم ترانزیستور را بر اساس گزینه‌های پیکربندی سه دنده ارائه دهند.
بر اساس اعلامی که در این سمپوزیوم منتشر شد، چیپ‌ست‌های تولید شده با استفاده از فناوری N3 یا فرآیند تولید 3 نانومتری، اواخر سال 2022 وارد تولید انبوه خواهند شد. )، N3S (تراکم افزایش یافته) و N3X (عملکرد فوق العاده بالا). تراشه های N3 از فناوری معماری FinFlex استفاده می کنند و در سه گزینه پیکربندی موجود خواهند بود: 3-2 باله، 2-2 باله و 2-1 باله.
عملکرد N3 و پیکربندی بازده انرژی در مقایسه با N5
عکس: TSMC
این شرکت گفت: «قبل از TSMC N3 و FinFlex، طراحان تراشه اغلب مجبور بودند بین سرعت، مصرف انرژی و تراکم تراشه انتخاب‌های دشواری انجام دهند. گفته می شود که روش جدید “بهینه سازی کامل کتابخانه طراحی N3 را امکان پذیر می کند”، که منجر به عملکرد بالا، محاسبات کارآمد و به حداکثر رساندن چگالی ترانزیستور می شود.
پیکربندی باله 3-2 برای کسانی است که می خواهند بالاترین عملکرد را داشته باشند، پیکربندی باله 2-2 تعادلی بین عملکرد، کارایی انرژی و چگالی ارائه می دهد. در نهایت، پیکربندی باله 2-1 برای کسانی است که خواهان بهره وری انرژی عالی و بالاترین چگالی هستند.
انتظار فناوری N2؛ چیپ‌ست‌هایی که با استفاده از فرآیند تولید 2 نانومتری تولید می‌شوند، قرار است در سال 2025 وارد تولید شوند. این SoCها حتی قدرتمندتر و کارآمدتر از 3 نانومتر خواهند بود. طبق گفته TSMC، تراشه‌های 2 نانومتری با همان قدرت، 10 تا 15 درصد بهبود سرعت یا 25 تا 30 درصد کاهش قدرت را با همان سرعت ارائه می‌دهند. این فناوری از معماری ترانزیستور نانوصفحه ای برخوردار است تا “بهبود کامل گره در عملکرد و بهره وری انرژی را ارائه دهد.” تولید N2 قرار است در سال 2025 آغاز شود.