طبق گزارش ها، سامسونگ تولید انبوه تراشه های 3 نانومتری را برای پیشی گرفتن از TSMC آغاز خواهد کرد
انتظار می رود سامسونگ هفته آینده شروع تولید انبوه تراشه های 3 نانومتری را اعلام کند. این باعث می شود این شرکت از TSMC جلوتر باشد که انتظار می رود تولید تراشه های 3 نانومتری آن در نیمه دوم سال جاری آغاز شود.
بر اساس گزارش خبری GSM Arena به نقل از یونهاپ نیوز، گره 3 نانومتری سامسونگ در مقایسه با فرآیند 5 نانومتری خود باعث کاهش 35 درصدی مساحت، 30 درصد افزایش عملکرد یا 50 درصد کاهش مصرف برق (که مورد استفاده قرار گرفت) خواهد بود. برای اسنپدراگون 888 و اگزینوس 2100).
این امر با حرکت به سمت طراحی Gate-All-Around (GAA) برای ترانزیستورها محقق خواهد شد. ریخته گری می تواند ترانزیستورها را بدون تأثیر بر توانایی آنها در حمل جریان کوچک کند، که مرحله بعدی بعد از FinFET است. طعم MBFCET طرح GAAFET است که در گره 3 نانومتری استفاده می شود.
ماه گذشته، جو بایدن، معاون رئیس جمهور ایالات متحده، از کارخانه Pyeongtaek سامسونگ بازدید کرد تا از فناوری 3 نانومتری این شرکت دیدن کند. شایعاتی وجود داشت مبنی بر اینکه این شرکت ممکن است 10 میلیارد دلار (تقریبا 78000 کرور روپیه) برای ساخت یک کارخانه ریخته گری 3 نانومتری در تگزاس در سال گذشته هزینه کند. طبق گزارش ها، این کارخانه در سال 2024 با افزایش سرمایه گذاری به 17 میلیارد دلار (تقریبا 1.32000 روپیه) عملیاتی می شود.
این شرکت در اکتبر سال گذشته گفت که عملکرد فرآیند 3 نانومتری سامسونگ “به سطحی مشابه با فرآیند 4 نانومتری نزدیک می شود.” تحلیلگران بر این باورند که گره 4 نانومتری سامسونگ مشکلات عملکردی جدی داشته است، اگرچه این شرکت هرگز آمار رسمی ارائه نکرده است.
یک گره 2 نانومتری مبتنی بر MBCFET نیز در نقشه راه 2023 این شرکت به همراه یک گره 3 نانومتری نسل دوم در سال 2025 قرار دارد.