NAND 232 لایه 3D Micron بازی ذخیره سازی را برای همیشه تغییر می دهد

این محتوا با مشارکت میکرون ایجاد شده است.

در دنیای گسترده محاسبات، گاهی اوقات نوآوری وجود دارد که می توانید مشاهده کنید – مانند پردازنده ای که بزرگتر از سایرین با قابلیت های افزایش یافته است، یا یک شاسی لپ تاپ فوق باریک با یک موتور قدرتمند در داخل – و گاهی اوقات یک نوآوری وجود دارد که نمی توانید ببینید. برای دومی، این نوآوری معمولاً در هسته فناوری دیگری اتفاق می افتد. به عنوان مثال هارد دیسک ها را در نظر بگیرید که نازک تر و نازک تر می شوند، البته با ظرفیت ذخیره سازی بیشتر و سرعت خواندن و نوشتن بی سابقه. فناوری داخل این دستگاه ها دستاورد واقعی است. این یک تجربه عالی را در همه جا ایجاد می کند، زیرا رایانه ها هر روز سریعتر و قدرتمندتر می شوند. این دقیقاً همان چیزی است که با آخرین دستاورد Micron اتفاق می‌افتد: NAND 3D 232 لایه، که در اصل چیزی بیش از یک ویفر نیست. امکانات محض این فناوری جدید بسیار زیاد است.

در حالی که Micron هنوز آماده نیست تا مشخص کند که این فناوری در کجا قرار می گیرد، بخش مهم این است که این پیشرفت چند لایه زمینه را برای موج جدیدی از نوآوری های فن آوری انتها به انتها فراهم می کند، به خصوص وقتی صحبت از قابلیت های ذخیره سازی می شود. ارائه تراکم فضای ذخیره‌سازی باورنکردنی، عملکرد پیشرفته و سرعت‌های ورودی/خروجی پیشرو در صنعت، تازه شروع کار است. NAND 3D 232 لایه، امکانات کاملا جدیدی را برای دیجیتالی کردن، بهینه سازی عملکرد و اتوماسیون عمومی در بازارهای مصرف کننده، تلفن همراه و مراکز داده باز می کند. به عبارت دیگر، تراکم ذخیره سازی افزایش یافته را برای ظرفیت بالاتر – بسیار بالاتر – همراه با عملکرد بالا و مجموعه ای از برنامه های کاربردی در همه جا ارائه می دهد.

اطلاعات بیشتر

NAND 3D 232 لایه Micron چیست؟

برای ارائه کوتاه ترین توضیح ممکن، این فناوری ذخیره سازی مدرن بازتعریف شده است. NAND سه بعدی شروع رویکرد «ساخت، نه ساختن» را دید که شامل چیدن لایه‌هایی از مدارهای به هم پیوسته برای ساخت نیمه‌هادی‌ها به جای افزایش مستمر مساحت کل است. Micron در سال 2020 با فناوری‌های 176 لایه‌ای NAND باورنکردنی خود را تعیین کرد. اکنون Micron این نوار را افزایش داده و طراحی را به 232 لایه بسیار متراکم تبدیل کرده است و هر تراشه روی ویفر را بسیار کوچک نگه داشته است. ما در مورد انباشته شدن مانند یک آسمان خراش صحبت می کنیم، اما در سطح میکروسکوپی! بیایید کمی بیشتر آن را تجزیه کنیم:

بهترین عملکرد در کلاس: NAND 232 لایه ای دارای سریع ترین سرعت I/O صنعت 2.4 گیگابایت در ثانیه (GBps) است. بله، گیگابایت. این عملکرد بی‌سابقه همچنین با تأخیر کم و توان عملیاتی بالا تکمیل می‌شود که برای بارهای کاری داده‌محور که در هوش مصنوعی، محاسبات ابری و تجزیه و تحلیل بلادرنگ مشاهده می‌شوند، حیاتی هستند. این می تواند به طور قابل توجهی عملکرد را برای همه این برنامه ها بهبود بخشد، نه فقط استفاده از ذخیره سازی سنتی.

تراکم اطلاعات باورنکردنی: هارد دیسک ها داده ها را روی پلاتر و هارد دیسک ها داده ها را در تراشه های NAND ذخیره می کنند. توانایی ذخیره تا حد امکان داده ها در هر درایو یا SSD – که در قلب میل به ذخیره سازی با تراکم بالاتر است – ذخیره بیت های بیشتری در کمترین فضای فیزیکی ممکن است، ارزش زیادی دارد. NAND میکرون متراکم‌ترین تراشه TLC جهان است، به این معنی که بالاترین تراکم بیت‌های ذخیره‌سازی در هر میلی‌متر مربع از سطح تراشه را دارد که تا کنون تولید شده است، با 14.6 گیگابایت بر میلی‌متر مربع. این در حالی است که به مشتریان اجازه می دهد تا از نظر پیکربندی و نصب انعطاف پذیری طراحی مناسب داشته باشند. برای قرار دادن آن در اعداد آسان برای تجزیه و تحلیل، چگالی منطقه ای NAND 232 لایه تا 100٪ متراکم تر از محصولات TLC رقیب است – که راه حل های دستگاه با ظرفیت بسیار بالاتر را ممکن می کند.

ظرفیت ذخیره سازی بیشتر: در حالی که SSD ها عملکرد خواندن و نوشتن باورنکردنی را ارائه می دهند، یکی از ایرادات تاریخی هارد دیسک های مدرن این است که ظرفیت کل اغلب کمتر از حداکثر ظرفیت بزرگترین هارد دیسک های مکانیکی است. NAND 232 لایه ظرفیت ذخیره سازی بزرگتری را با قابلیت حداکثر 1 ترابیت در هر قالب و 2 ترابایت در هر بسته امکان پذیر می کند. با ارائه ظرفیت بیشتر با هر بسته در یک SSD، که اغلب حاوی بسیاری از این بسته های کوچک است، ظرفیت کلی درایو را افزایش می دهد. نتیجه، فضای ذخیره‌سازی بیشتر با دستگاه‌های هوشمندتر و کاربردی‌تر در سراسر صنعت، از رایانه‌های شخصی گرفته تا فضای ابری خواهد بود.

این برای افراد غیر روحانی چه معنایی دارد؟

اگر صنعت را از نزدیک دنبال نکنید، ممکن است در برخی از این اعداد و لیست‌های ویژگی گم شوید، اما نکته اصلی این است که دستگاه‌های ذخیره‌سازی در آستانه تبدیل شدن به بسیار قوی‌تر هستند – نه فقط از نظر ظرفیت ذخیره‌سازی، بلکه عملکرد خوب، بهینه سازی و طراحی کلی. این نوعی نوآوری است که احتمالاً با چشم غیرمسلح نخواهید دید، زیرا بسیاری از آن در هسته سایر فناوری‌ها – به‌ویژه دستگاه ذخیره‌سازی، اتفاق خواهند افتاد. با این حال، هنگامی که در دسترس باشد، قطعاً افزایش عملکرد را احساس خواهید کرد.

سرعت خواندن و نوشتن سریع‌تر – به لطف تقویت‌های ورودی/خروجی – زمان راه‌اندازی سریع‌تر، عملکرد کلی بهتر و دستگاهی با قابلیت‌تر را به شما می‌دهد، چه در مورد جدیدترین گوشی هوشمند، لپ‌تاپ یا رایانه داخلی سفارشی صحبت کنید. .

این برای تولیدکنندگان چه معنایی دارد؟

ما قرار نیست به شما بگوییم که چگونه کار خود را انجام دهید، و احتمالاً نخواهیم توانست – بیایید صادق باشیم. با این حال، این فناوری فرصت‌های جدیدی را برای نوآوری فراهم می‌کند، خواه برای محاسبات شخصی، محاسبات لبه یا برنامه‌های رایانش ابری استفاده شود. به لطف NAND 232 لایه Micron، مشتریان، سرمایه‌گذاران و شرکا به زودی می‌توانند گزینه‌های ذخیره‌سازی نسل بعدی را تجربه کنند که به پیشرفت‌های پیشرفته در تراکم، ظرفیت، عملکرد و حتی بهره‌وری انرژی پی می‌برند.

ارسال محصولات اولیه آغاز شده است و جزئیات بیشتر در ادامه خواهد آمد. محصولات 232 لایه دیگری مبتنی بر NAND بعداً در سال‌های 2022 و 2023 منتشر خواهند شد. همه ما می‌توانیم منتظر پیشرفت‌هایی باشیم که NAND 232 لایه 3D Micron ارائه خواهد کرد، به خصوص که نسل فعلی معماری NAND 176 لایه آنها در حال حاضر چشمگیر است.

اطلاعات بیشتر

توصیه های سردبیران